WI71060TR
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Производитель:
Wise-Integration
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
4098
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- WI71060TR
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 700 V |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (макс.) | +6V, -4V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tj) |
| Корпус | 8-LDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.5V @ 10mA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 6V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PDFN (8x8) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 2A, 6V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 7 nC @ 6 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 216 pF @ 400 V |