WI71100TR

POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Производитель: Wise-Integration Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 4094 Статус RoHS: Поддержка
PDF
WI71100TR

Основная информация

Номер детали:
WI71100TR
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рассеиваемая мощность (максимальная) -
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 700 V
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.) +6V, -4V
Корпус 8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (макс.) при Id 1.5V @ 10mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 17A (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
Поставщик Устройство Корпус 8-PDFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2A, 6V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.8 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 120 pF @ 400 V