XP10NA8R4H

MOSFET N CH 100V 66A TO-252

Производитель: YAGEO XSemi Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
XP10NA8R4H

Основная информация

Номер детали:
XP10NA8R4H
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
MOSFET N CH 100V 66A TO-252

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 66A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 30A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 67.2 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3248 pF @ 80 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 2W (Ta), 69W (Tc)