XP4NA2R2HCST

MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6

Производитель: YAGEO XSemi Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
XP4NA2R2HCST

Основная информация

Номер детали:
XP4NA2R2HCST
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 80 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
Корпус SC-100, SOT-669
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4000 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус SPPAK 5X6
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.28mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 5W (Ta), 96.1W (Tc)