XPJ102N09N8R-G

N-CHANNEL MOSFET 100V, 9.4MOHM,

Производитель: Torex Semiconductor Ltd Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
XPJ102N09N8R-G
Упаковка:
-
Упаковка:
Case
Описание:
N-CHANNEL MOSFET 100V, 9.4MOHM,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 25 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 62.5W (Tc)
Корпус 8-PowerTDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 115µA
Поставщик Устройство Корпус DFN5060-8L
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 59.2A (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1780 pF @ 50 V