2N7000

Transistor 2N7000 MOSFET N Chann

制造商: Jameco Electronics 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 3962 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
2N7000
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
Transistor 2N7000 MOSFET N Chann

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3V @ 1mA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 5Ohm @ 500mA, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
最大功耗 400mW (Ta)