BD2320UEFJ-LAE2

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 栅极驱动器 数量: 3767 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
BD2320UEFJ-LAE2
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

产品参数

零件状态 Active
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Surface Mount
可编程 Not Verified
驱动配置 Half-Bridge
沟道类型 Independent
栅极类型 MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
驱动器数量 2
封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
高侧电压 - 最大值(自举) 100 V
上升/下降时间(典型值) 8ns, 6ns
供应商器件封装 8-HTSOP-J
电压 - 供电 7.5V ~ 14.5V
逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL),高电平输入电压(VIH) 1.7V, 1.5V
电流 - 峰值输出(源极,漏极) 3.5A, 4.5A