BSS131IXUSA1

BSS131IXUSA1

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 4600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
BSS131IXUSA1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
BSS131IXUSA1

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss) 240 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.8V @ 56µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 109mA (Ta), 121mA (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 14Ohm @ 120mA, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.6 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 74 pF @ 120 V
最大功耗 400mW (Ta), 440mW (Tc)
供应商器件封装 PG-SOT23-3-U03