C3M0900170M
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
基础信息
- 零件编号：
- C3M0900170M
- 封装：
- -
- 包装：
- Tube
- 描述：
- SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
产品参数
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| 最大功耗 | 33W (Tc) |
| 封装 / 外壳 | TO-3P-3 Full Pack |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 15V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 1700 V |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 最大栅源电压 | +20V, -8V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 10 nC @ 15 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 1.25Ohm @ 1.99A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4.2V @ 550µA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 202 pF @ 1.2 kV |
| 供应商器件封装 | TO-3PF-3L |