CC-CL-75-1023

SiC MOSFET 33A 1200V TO-247-3

制造商: CoolCAD 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2595 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
CC-CL-75-1023
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
SiC MOSFET 33A 1200V TO-247-3

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
工作温度 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 33A
技术 SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压 +20V, -5V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 15V, 20V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 70mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.9V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 90 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 930 pF @ 1000 V
最大功耗 135W