CC-CN-23-0123

SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3

制造商: CoolCAD 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1615 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
CC-CN-23-0123
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管特性 -
封装 / 外壳 TO-247-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 16 nC @ 5 V
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商器件封装 TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A (Ta)
技术 SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 85mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.4V @ 5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 810 pF @ 200 V