CGD65A055SH2
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
基础信息
- 零件编号：
- CGD65A055SH2
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 最大功耗 | - |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650 V |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 12V |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 27A |
| 最大栅源电压 | +20V, -1V |
| 供应商器件封装 | 16-DFN (8x8) |
| 封装 / 外壳 | 16-PowerVDFN |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 77mOhm @ 2.2A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4.2V @ 10mA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 4 nC @ 12 V |