FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-

制造商: Fairchild Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 3715 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
FCP165N65S3R0
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Through Hole
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装 TO-220-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 19A (Tc)
最大栅源电压 ±30V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 39 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1500 pF @ 400 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 165mOhm @ 9.5A, 10V
最大功耗 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 440mA