FF06020E-3A

SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L

制造商: fastSiC 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1900 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
FF06020E-3A
封装:
-
包装:
Tube
描述:
SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳 TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 110A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
最大功耗 405W (Tc)
最大栅源电压 +18V, -8V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 15V, 18V
供应商器件封装 TO-247-3L
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 28mOhm @ 35A, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4437 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 60mA (Typ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 194 nC @ 400 V