G040P02T

MOSFET P-CH 20V 90A 125W TO-220

制造商: Goford Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1647 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
G040P02T
封装:
-
包装:
Tube
描述:
MOSFET P-CH 20V 90A 125W TO-220

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型 P-Channel
最大功耗 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss) 20 V
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 90A (Tc)
最大栅源电压 ±12V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 4.5V
供应商器件封装 TO-263
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 134 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 5mOhm @ 20A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 9457 pF @ 10 V