G3F60MT06J-TR
650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
基础信息
- 零件编号：
- G3F60MT06J-TR
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- 650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 封装 / 外壳 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650 V |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 最大功耗 | 155W (Tc) |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 最大栅源电压 | +22V, -10V |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 15V, 18V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 45 nC @ 18 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 75mOhm @ 15A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4.3V @ 7mA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1322 pF @ 400 V |