GC085N65QF

MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247

制造商: Goford Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1650 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GC085N65QF
封装:
-
包装:
Tube
描述:
MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 40A (Tc)
供应商器件封装 8-SOP
最大栅源电压 ±30V
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.6V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 85mOhm @ 21.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2350 pF @ 400 V
最大功耗 299W (Tc)