GE04MPS06E-TR

DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

制造商: GeneSiC Semiconductor 产品分类: 整流二极管类型 数量: 4145 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GE04MPS06E-TR
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
等级 -
认证 -
工作温度 - 结温 -55°C ~ 175°C
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
电流 - 平均整流值 (Io) 12A
技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 0 ns
供应商器件封装 TO-252-2
正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.35 V @ 4 A
电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 650 V
反向漏电流 @ 反向电压 5 µA @ 650 V
电容 @ 反向电压, 法拉 186pF @ 1V, 1MHz