GPI65005DF68

GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

制造商: GaNPower 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2023 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GPI65005DF68
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 5A
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 6V
最大栅源电压 +7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.7V @ 3.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.6 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 39 pF @ 500 V