GPI65007DF88

GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8

制造商: GaNPower 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 4100 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GPI65007DF88
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 7A
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 6V
最大栅源电压 +7.5V, -12V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.5V @ 3.5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 60 pF @ 500 V