GPI90005DF88

GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8

制造商: GaNPower 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GPI90005DF88
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 900 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 5A
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
封装 / 外壳 8-DFN
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 6V
最大栅源电压 +7.5V, -12V
供应商器件封装 8-DFN (8x8)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.6 nC @ 6 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 320mOhm @ 1A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.3V @ 3.5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 39 pF @ 400 V