GT130N20M

MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263

制造商: Goford Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1700 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GT130N20M
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 250µA
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 200 V
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 90A (Tc)
供应商器件封装 TO-263
最大功耗 250W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 77 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 12mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5860 pF @ 100 V