GT50JR22(STA1,E,S)

IGBT 600V 50A TO-3P

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 产品分类: 单管 IGBT 数量: 1623 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GT50JR22(STA1,E,S)
封装:
-
包装:
Tube
描述:
IGBT 600V 50A TO-3P

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
IGBT类型 -
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 600 V
输入类型 Standard
集电极电流(Ic)(最大值) 50 A
测试条件 -
封装 / 外壳 TO-3P-3, SC-65-3
开关能量 -
导通/关断时间 (Td) @ 25°C -
集电极脉冲电流 (Icm) 100 A
工作温度 175°C (TJ)
最大功率 230 W
供应商器件封装 TO-3P(N)
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A