GT880P15D5

MOSFET P-CH 150V-30A 138W DFN5*6

制造商: Goford Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1690 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GT880P15D5
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
MOSFET P-CH 150V-30A 138W DFN5*6

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型 P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss) 150 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 46 nC @ 10 V
供应商器件封装 8-DFN (5x6)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 90mOhm @ 15A, 10V
最大功耗 138W (Tc)
封装 / 外壳 8-PowerSMD, Flat Leads
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3350 pF @ 75 V