HTNFET-DC
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
基础信息
- 零件编号：
- HTNFET-DC
- 封装：
- -
- 包装：
- Bulk
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
产品参数
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 供应商器件封装 | - |
| 工作温度 | - |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 5V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 55 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | - |
| 最大栅源电压 | 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.4V @ 100µA |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| 最大功耗 | 50W (Tj) |
| 封装 / 外壳 | 8-CDIP Exposed Pad |