HUFA75433S3ST

64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO

制造商: Fairchild Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2120 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
HUFA75433S3ST
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 250µA
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
最大功耗 150W (Tc)
供应商器件封装 TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 64A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1550 pF @ 25 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 16mOhm @ 64A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 117 nC @ 20 V