IPM018N10NM5LF2AUMA1

IPM018N10NM5LF2AUMA1

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2990 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
IPM018N10NM5LF2AUMA1

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V, 15V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 178 nC @ 10 V
供应商器件封装 PG-HSOG-4-1
封装 / 外壳 4-PowerSFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 1.7mOhm @ 100A, 15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3.45V @ 240µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 14000 pF @ 50 V
最大功耗 3.8W (Ta), 349W (Tc)