IPP175N20NM6AKSA1

IPP175N20NM6AKSA1

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
IPP175N20NM6AKSA1
封装:
-
包装:
Tube
描述:
IPP175N20NM6AKSA1

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-220-3
漏极至源极电压 (Vdss) 200 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 39 nC @ 10 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 105µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3100 pF @ 100 V
供应商器件封装 PG-TO220-3-U04
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9.7A (Ta), 61A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 15.5mOhm @ 38A, 15V
最大功耗 3.8W (Ta), 203W (Tc)