ISC016N04NM7VATMA1

ISC016N04NM7VATMA1

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 6600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
ISC016N04NM7VATMA1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
ISC016N04NM7VATMA1

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 46 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V, 15V
封装 / 外壳 8-PowerTDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2400 pF @ 20 V
供应商器件封装 PG-TDSON-8
最大功耗 3W (Ta), 94W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 31A (Ta), 174A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 1.49mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3.15V @ 35µA