基础信息
- 零件编号：
- MDD4N65D
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 描述：
- MOSFET N 650V 4A TO-252
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4V @ 250µA |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 封装 / 外壳 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| 最大栅源电压 | ±30V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650 V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 2.8Ohm @ 2A, 10V |
| 最大功耗 | 77W (Ta) |