MDDG10R08D

MOSFET N 100V 70A TO252

制造商: MDD 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 4100 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MDDG10R08D
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
MOSFET N 100V 70A TO252

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
工作温度 -55°C ~ 150°C
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 10V
供应商器件封装 TO-252
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 8.2mOhm @ 30A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 70A
最大功耗 100W