MSB100N045SA

N-Channel MOSFET,100V,TO-263

制造商: Bruckewell 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1603 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MSB100N045SA
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
N-Channel MOSFET,100V,TO-263

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 250µA
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
最大功耗 -
工作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
供应商器件封装 TO-263
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 4.5mOhm @ 30A, 10V