NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
基础信息
- 零件编号：
- NC1M120C12WCNG
- 封装：
- -
- 包装：
- Tray
- 描述：
- SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 场效应晶体管类型 | - |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 20V |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 214A (Tc) |