NC1M120C75RRNG

SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7

制造商: NovuSem 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1700 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NC1M120C75RRNG
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 46A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
技术 SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 18V
供应商器件封装 TO-263-7L
最大栅源电压 +18V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.3V @ 5mA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 75mOhm @ 20A, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1402 pF @ 1000 V
最大功耗 240W (Ta)
封装 / 外壳 TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)