基础信息
- 零件编号：
- NCV51152BADR2G
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI
产品参数
| 通道数 | 1 |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 正向电压（典型值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 等级 | Automotive |
| 电压隔离 | 3750Vrms |
| 认证 | AEC-Q100 |
| 技术 | Capacitive Coupling |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 55ns, 55ns |
| 审批机构 | CQC, UL, VDE |
| 脉冲宽度失真（最大值） | 5ns |
| 电压 - 输出电源 | 9.5V ~ 30V |
| 共模瞬态抗扰度（最小值） | 200kV/µs |
| 峰值输出电流 | 4.5A, 9A |
| 上升/下降时间（典型值） | 12ns, 8.3ns |
| 电流 - 输出高电平，低电平 | 4.5A, 9A |