NVMFS4C305NET1G

NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

制造商: onsemi 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 3100 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NVMFS4C305NET1G
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.2V @ 250µA
供应商器件封装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
封装 / 外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 2.8mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1972 pF @ 15 V
最大功耗 3.61W (Ta), 79W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 27.2A (Ta), 127A (Tc)