P3M06060G7
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
基础信息
- 零件编号：
- P3M06060G7
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 描述：
- SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 封装 / 外壳 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650 V |
| 供应商器件封装 | D2PAK-7 |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 15V |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 最大功耗 | 159W |
| 最大栅源电压 | +20V, -8V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 44A |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 79mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.2V @ 20mA (Typ) |