PJB100N04S-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
基础信息
- 零件编号：
- PJB100N04S-AU_R2_002A1
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| 封装 / 外壳 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 40 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.3V @ 50µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 2.2mOhm @ 90A, 10V |
| 最大功耗 | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |