基础信息
- 零件编号：
- QSD12HCS65U
- 封装：
- -
- 包装：
- Tube
- 描述：
- SiC Homogeneous Schottky Barrier
产品参数
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 封装 / 外壳 | TO-247-3 |
| 工作温度 - 结温 | -55°C ~ 175°C |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 电压 - 直流反向(Vr)(最大值) | 650 V |
| 反向漏电流 @ 反向电压 | 30 µA @ 650 V |
| 正向电压 - 最大值 @ 测试电流 | 1.6 V @ 12 A |
| 供应商器件封装 | TO-247-3L |