R8019KNZ4C13

NCH 800V 19A, TO-247AD, HIGH-SPE

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2200 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
R8019KNZ4C13
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
NCH 800V 19A, TO-247AD, HIGH-SPE

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-247-3
工作温度 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 800 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 65 nC @ 10 V
最大功耗 208W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 19A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 265mOhm @ 9.5A, 10V
供应商器件封装 TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 7mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2100 pF @ 100 V