RF9G120BLFRATCR

NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 4600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
RF9G120BLFRATCR
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
工作温度 150°C (TJ)
最大功耗 23W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 6V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
封装 / 外壳 6-UDFN Exposed Pad
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 470 pF @ 20 V
供应商器件封装 DFN2020Y7LSAA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 18mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 171µA