RH7L03BBKFRATCB

NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
RH7L03BBKFRATCB
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
最大功耗 33W (Tc)
工作温度 175°C (TJ)
封装 / 外壳 8-PowerTDFN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 375 pF @ 30 V
供应商器件封装 DFN3333T8LSAB
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 26.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 70µA