RJ1G10BBGTL1

NCH 40V 280A, TO-263AB, POWER MO

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
RJ1G10BBGTL1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NCH 40V 280A, TO-263AB, POWER MO

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 210 nC @ 10 V
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 105A (Tc)
最大功耗 192W (Tc)
供应商器件封装 TO-263AB
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 13200 pF @ 20 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 1.43mOhm @ 90A, 10V