RQ3L120BLFRATCB

NCH 60V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 4600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
RQ3L120BLFRATCB
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NCH 60V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
最大功耗 40W (Tc)
工作温度 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 6V, 10V
封装 / 外壳 8-PowerVDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 30mOhm @ 12A, 10V
供应商器件封装 8-HSMT (3.2x3)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 440 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 193µA