RQ3N025ATTB1
PCH -80V -2.5A, HSMT8, POWER MOS
基础信息
- 零件编号：
- RQ3N025ATTB1
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- PCH -80V -2.5A, HSMT8, POWER MOS
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 6V, 10V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 80 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4V @ 1mA |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-HSMT (3.2x3) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta), 7A (Tc) |
| 最大功耗 | 2W (Ta), 14W (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 240mOhm @ 2.5A, 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 485 pF @ 40 V |