RY7P250BMTBC

NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2080 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
RY7P250BMTBC
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 1mA
最大功耗 340W (Tc)
工作温度 175°C (TJ)
封装 / 外壳 8-PowerTDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 1.86mOhm @ 50A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 250A (Ta), 300A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 15900 pF @ 50 V
供应商器件封装 DFN8080T8LSHAAI