SNXH150B120H3Q2F2PG-N

GEN III Q2BOOST 1100V

制造商: onsemi 产品分类: IGBT 模块 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
SNXH150B120H3Q2F2PG-N
封装:
-
包装:
Tray
描述:
GEN III Q2BOOST 1100V

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
封装 / 外壳 Module
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1200 V
Input Standard
集电极电流(Ic)(最大值) 80 A
NTC热敏电阻 Yes
集电极截止电流(最大值) 400 µA
工作温度 175°C (TJ)
配置 3 Independent
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
最大功率 279 W
输入电容(Cies)@ Vce 19137 pF @ 20 V
供应商器件封装 35-PIM (93x47)