TK125A60Z1,S4X

N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1700 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
TK125A60Z1,S4X
封装:
-
包装:
Tube
描述:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
最大功耗 40W (Tc)
工作温度 150°C
漏极至源极电压 (Vdss) 600 V
封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28 nC @ 10 V
最大栅源电压 ±30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A (Ta)
供应商器件封装 TO-220SIS
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 125mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 730µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1620 pF @ 300 V