TSM018NM08TL RAG

80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 3600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
TSM018NM08TL RAG
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss) 80 V
最大功耗 357W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.1V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 1.8mOhm @ 20A, 10V
封装 / 外壳 8-PowerSFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 179 nC @ 10 V
供应商器件封装 TOLLA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 12182 pF @ 40 V