TSM60NC196CIT C0G

600V, 12A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
TSM60NC196CIT C0G
封装:
-
包装:
Tube
描述:
600V, 12A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗 74W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 600 V
封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42 nC @ 10 V
供应商器件封装 ITO-220TL
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 196mOhm @ 4A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1506 pF @ 300 V